X-FAB et Soitec coopèrent pour fournir la technologie SmartSiC à l'usine X-FAB de Lubbock

X-FAB, leader mondial de la fonderie "pure player" au service d'une grande variété de clients fabless, et Soitec, un leader mondial de la conception et de la production de matériaux semi-conducteurs innovants, vont débuter leur collaboration pour fournir des wafers SmartSiC de Soitec pour la production de dispositifs de puissance en carbure de silicium dans l'usine de X-FAB à Lubbock, au Texas.

Cette collaboration fait suite à la finalisation réussie de la phase d'évaluation, au cours de laquelle des dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) ont été fabriqués chez X-FAB Texas sur des wafers SmartSiC de 150 mm.
Soitec offrira aux clients de X-FAB un accès facile au SmartSiC grâce à un modèle d'approvisionnement en consignation.

X-FAB est le pionnier et le leader du modèle de fonderie sur le marché en pleine expansion du SiC. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur disruptif dont les propriétés intrinsèques offrent des performances et une efficacité supérieures à celles du silicium dans les applications de puissance.

La technologie unique SmartSiC de Soitec, basée sur le procédé SmartCut, permet d'améliorer considérablement les performances des dispositifs d'électronique de puissance et d'augmenter les rendements de fabrication. La technologie consiste à coller une très fine couche de SiC monocristallin (mono-SiC) de haute qualité sur une plaquette de polySiC à très faible résistivité. Le procédé permet de réutiliser plusieurs fois une seule plaquette donneuse, ce qui réduit significativement les coûts et les émissions de CO2 qui en découlent.

Sur ce marché en pleine expansion, Soitec augmente la production de substrats SmartSiC dans sa nouvelle usine de Bernin, près de Grenoble (France). X-FAB augmente sa capacité de production de dispositifs SiC dans son usine de Lubbock. L'utilisation du SmartSiC permet aux clients de X-FAB de concevoir des dispositifs plus petits, ce qui se traduit par une amélioration de l'efficacité grâce à l'augmentation du nombre de puces par wafer. La réduction des émissions de CO2 issues du processus de fabrication du substrat contribuera également à l'initiative de X-FAB visant à réduire son empreinte carbone globale.

Sophie Le-Guyadec, VP Procurement de X-FAB, a déclaré : "En tant que fonderie leader de SiC, nous souhaitons offrir à nos clients toutes les possibilités de concevoir des dispositifs innovants et robustes en carbure de silicium pour les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les applications industrielles. Afin d'offrir les processus et les capacités de fabrication de carbure de silicium les plus avancés, nous avons conjointement convenu de fournir à nos clients un accès facile au SmartSiC de Soitec via un modèle de consignation."

Emmanuel Sabonnadière, Executive Vice-Président de Soitec pour la Division Automobile et Industrie, a déclaré : "Les substrats SmartSiC de Soitec et les services de fonderie de X-FAB sont parfaitement adaptés pour répondre à la demande croissante de nouveaux produits en SiC. Cette coopération est une étape importante pour le déploiement de SmartSiC sur le marché américain et à l'international, grâce à l'empreinte mondiale de X-FAB".