STMicroelectronics : gros investissement en Sicile

STMicroelectronics annonce une nouvelle usine dédiée à la production en grands volumes de plaquettes 200 mm en carbure de silicium (" SiC ") pour composants et modules de puissance, ainsi qu'aux activités de test et de conditionnement, qui sera construite à Catane (Sicile). Ensemble, l'unité de fabrication de substrats en SiC en cours de construction sur ce même site et cette nouvelle usine formeront le Silicon Carbide Campus de ST, concrétisant la vision de la Société d'une installation de production entièrement intégrée verticalement et dédiée à la production de masse de carbure de silicium sur un seul site. La création du nouveau Silicon Carbide Campus marque une étape clé pour accompagner les clients en composants SiC pour les applications automobiles, industrielles et pour les infrastructures en cloud, dans le cadre de leur transition vers l'électrification et la recherche d'une plus grande efficacité énergétique, souligne STM.

"Les capacités entièrement intégrées mises à disposition par le Silicon Carbide Campus de Catane contribueront de manière significative au leadership technologique de ST dans le domaine du carbure de silicium pour les clients des secteurs automobile et industriel au cours des prochaines décennies", a déclaré Jean-Marc Chéry, Président du Directoire et Directeur Général de STMicroelectronics. "L'envergure et les synergies apportées par ce projet nous permettront d'innover davantage avec une capacité de production en grands volumes et ce, au bénéfice de nos clients européens et internationaux qui évoluent vers l'électrification et recherchent des solutions à haute efficacité énergétique afin d'atteindre leurs objectifs de décarbonation".

Le Silicon Carbide Campus servira de pôle central pour l'écosystème SiC mondial de ST, intégrant la totalité des étapes du flux de production, parmi lesquelles le développement de substrats SiC, les processus de croissance épitaxiale, la fabrication de plaquettes en 200 mm (Front-end) et l'assemblage de modules (Back-end), la R&D des processus, la conception de produits, les laboratoires de R&D avancée pour les circuits intégrés, les modules et les systèmes de puissance, ainsi que des capacités complètes de conditionnement. Il s'agira de la première unité de cette nature (" first of a kind") en Europe pour la production de masse de plaquettes SiC en 200 mm, chaque étape du processus - substrat, épitaxie & front-end, et back-end - utilisant les technologies 200 mm pour des performances et des rendements améliorés.

Cette nouvelle unité devrait démarrer la production en 2026 et atteindre sa pleine capacité d'ici 2033, pour produire jusqu'à 15.000 plaquettes par semaine à pleine capacité. L'investissement total prévu est d'environ 5 milliards d'euros, avec un soutien de l'État italien d'environ 2 milliards d'euros dans le cadre du Chips Act européen (EU Chips Act). Des pratiques durables sont intégrées dans la conception, le développement et l'exploitation du Silicon Carbide Campus dans le but d'assurer l'utilisation responsable de ressources dont l'eau et l'énergie.