ROHM et STM, un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, annoncent aujourd'hui l'extension de l'accord existant pluriannuel et de long terme portant sur la fourniture de substrats carbure de silicium (SiC) en 150 mm avec SiCrystal, une société du groupe ROHM.
Le nouvel accord pluriannuel régit la fourniture de volumes plus importants de substrats SiC fabriqués à Nuremberg (Allemagne) pour une valeur minimale attendue de 230 millions de dollars.

Geoff West, Vice-Président exécutif en charge des achats de STMicroelectronics, a déclaré?: "Cet accord étendu avec SiCrystal nous apportera des volumes supplémentaires de substrats SiC en 150 mm afin de soutenir l'augmentation de notre capacité de fabrication de composants pour nos clients des secteurs de l'automobile et de l'industriel à travers le monde. Il contribue à renforcer la résilience de notre chaine d'approvisionnement pour notre croissance future avec un mix équilibré entre capacités internes et externes à travers les régions."

"SiCrystal, société du groupe ROHM, est l'un des leaders sur le marché du carbure de silicium et fabrique des plaquettes SiC depuis de nombreuses années. Nous sommes très heureux d'étendre cet accord d'approvisionnement avec ST, notre client de longue date. Nous continuerons à soutenir notre partenaire à étendre ses activités dans le domaine du carbure de silicium en augmentant de façon continue les quantités de plaquettes SiC en 150 mm et en fournissant en permanence une qualité fiable", a déclaré le Dr. Robert Eckstein, President et CEO de SiCrystal, une société du groupe ROHM.