STMicroelectronics et Innoscience signent un accord de développement et de fabrication pour la technologie GaN

STMicroelectronics, un leader mondial des semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et Innoscience (HKEX:02577.HK), le leader mondial de la fabrication à faible coût et haute performance de plaquettes de 8 pouces en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), annoncent la signature d'un accord sur le développement et la fabrication de la technologie GaN (nitrure de gallium), en tirant parti des points forts de chaque entreprise pour renforcer les solutions de puissance en GaN et la résilience de la chaîne d'approvisionnement.

Les entreprises ont convenu d'une initiative de développement conjoint concernant la technologie de puissance GaN, afin de développer son futur prometteur dans les secteurs de l'électronique grand public, des data centers, des systèmes de puissance pour l'automobile et l'industriel et bien d'autres applications au cours des années à venir. De plus, l'accord permet à Innoscience d'utiliser la capacité de fabrication front-end de ST en dehors de la Chine pour ses plaquettes GaN, tandis que ST peut tirer parti de la capacité de fabrication front-end d'Innoscience en Chine pour ses propres plaquettes GaN. L'ambition commune est que chaque entreprise puisse élargir individuellement son offre en nitrure de gallium avec une flexibilité et une résilience de la chaîne d'approvisionnement pour répondre à tous les besoins de leurs clients dans un large éventail d'applications.

Marco Cassis, Président, Produits analogiques, Produits discrets et de puissance, MEMS et Capteurs de STMicroelectronics a déclaré : "ST et Innoscience sont tous deux des fabricants intégrés de composants, et avec cet accord, nous tirerons parti de ce modèle au bénéfice de nos clients à l'échelle mondiale. Tout d'abord, ST accélérera sa feuille de route en technologie de puissance GaN pour compléter son offre en silicium et en carbure de silicium. Ensuite, ST pourra tirer parti d'un modèle de fabrication flexible pour servir les clients dans le monde entier?".

Dr. Weiwei Luo, Chairman et cofondateur d'Innoscience, a déclaré : "La technologie GaN est essentielle pour améliorer l'électronique, créant des systèmes plus compacts et plus efficaces qui économisent de l'énergie électrique, réduisent les coûts et diminuent les émissions de CO2. Innoscience a été pionnier dans la fabrication de masse de la technologie GaN sur des plaquettes de 8 pouces et a livré plus d'un milliard de composants GaN dans plusieurs marchés, et nous sommes très heureux de s'engager dans une collaboration stratégique avec ST.??La collaboration conjointe entre ST et Innoscience va encore étendre et accélérer l'adoption de la technologie GaN. Ensemble, les équipes d'Innoscience et de ST développeront les prochaines générations de la technologie GaN."

Les composants de puissance GaN tirent parti des propriétés fondamentales des matériaux qui permettent de nouveaux standards de performance des systèmes dans la conversion de puissance, le contrôle de mouvement et l'actionnement, avec des pertes considérablement réduites, ce qui permet une efficacité accrue, des tailles réduites et un poids plus léger, réduisant ainsi le coût global de la solution et l'empreinte carbone. Ces composants sont en cours d'adoption rapide dans l'électronique grand public, les alimentations électriques industrielles et les data centers ainsi que les onduleurs solaires, et sont activement utilisés dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques de nouvelle génération en raison de leurs avantages substantiels en termes de réduction de taille et de poids...