Soitec annonce un partenariat avec le Chinois ZenSemi
Cette collaboration vise à soutenir le développement et la montée en cadence de la production d'un nouveau procédé BCD-sur-SOI.
Soitec et ZenSemi, fonderie spécialisée de premier plan en Chine, annoncent une collaboration stratégique visant à permettre la production à haut volume de technologies 300mm Bipolar-CMOS-DMOS sur Silicium-sur-Isolant pour l'électronique de puissance de nouvelle génération alimentant les centres de données d'IA, les véhicules électriques, les robots humanoïdes et les applications industrielles.
Soitec fournira à ZenSemi ses substrats avancés Power-SOI de 300mm pour soutenir le développement et la montée en cadence de la production d'un nouveau procédé BCD-sur-SOI. Cette collaboration vise à offrir aux sociétés "fabless" et aux fabricants de dispositifs intégrés (IDM) une plateforme de fabrication haute performance adaptée aux exigences du marché.
Comparée aux solutions traditionnelles BCD-sur-bulk (substrat massif), la technologie BCD-sur-SOI s'avère être un levier critique pour l'intégration avancée et la fiabilité des puces. Grâce à une isolation diélectrique complète, la technologie permet d'intégrer densément sur une seule puce des étages de puissance haute tension et des circuits de contrôle basse tension sensibles, décrit Soitec dans un communiqué.
"Ce partenariat souligne la maturité de l'écosystème BCD-sur-SOI en Chine. En s'appuyant sur les services de fonderie spécialisés de ZenSemi, dirigés par une équipe à l'expérience avérée dans les standards internationaux de l'électronique de puissance, et sur la qualité reconnue des substrats innovants de Soitec, nous établissons une nouvelle référence pour l'électronique de puissance", a déclaré René Jonker, directeur produit chez Soitec.
"Nous sommes très encouragés par le succès de la première validation produit avec notre client phare. Pour un dispositif d'interface analogique (AFE) à 18 canaux, notre mise en oeuvre basée sur le SOI permet une réduction impressionnante d'environ 30% de la taille de la puce par rapport aux procédés BCD sur substrat massif traditionnels. Ce résultat valide pleinement les forces inégalées du SOI en matière de miniaturisation de la surface de puce et de résilience des circuits. Grâce à notre collaboration avec Soitec, nous allons rapidement monter en puissance notre capacité de fabrication SOI-BCD 300mm. Une fois nos plateformes entrées en production de grands volumes, nous permettrons aux sociétés de conception chinoises et aux clients mondiaux de construire des circuits intégrés de puissance plus petits, plus robustes et optimisés en coût, répondant à l'expansion rapide des marchés de l'automobile, de l'intelligence artificielle et de l'industrie", a déclaré Ruby Yan, vice-président ventes et marketing chez ZenSemi.
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