Soitec et Tokai Carbon concluent un partenariat afin de développer des substrats de carbure de silicium polycristallin destinés aux plaques SmartSiC

Soitec, un leader mondial de la conception et de la production de matériaux semi-conducteurs innovants, et Tokai Carbon (TSE, Tokyo), le fabricant d'une gamme exhaustive de produits en carbone et en graphite, ont conclu un partenariat stratégique dédié au développement et à la fourniture de substrats de carbure de silicium polycristallin spécifiquement conçus pour les plaques SmartSiC de Soitec.

Le carbure de silicium est un matériau semiconducteur composé disruptif dont les substrats innovants SmartSiC accélèrent l'adoption dans le domaine de la mobilité électrique ainsi que pour des applications industrielles et de réseaux intelligents.

La technologie unique SmartSiC de Soitec permet d'améliorer considérablement les performances des dispositifs d'électronique de puissance et d'augmenter les rendements de fabrication.

Selon les termes de ce partenariat, qui verra Tokai Carbon fournir des substrats poly-SiC en 150 mm et en 200 mm à Soitec, les deux entreprises visent à exploiter leurs capacités de pointe en matière de 'R&D' pour renforcer l'écosystème SmartSiC.

Que ce soit sur le plan technologique ou industriel, les capacités de premier plan de Tokai Carbon en matière de carbure de silicium polycristallin (poly-SiC) conjuguées au droit d'utiliser les spécifications de Soitec pour fabriquer des plaques poly-SiC brutes compatibles avec la technologie SmartSiCTM de Soitec apporteront une contribution stratégique à la montée en puissance de la production de plaques SmartSiCTM.

Cyril Menon, Chief Operations Officer de Soitec, a déclaré : "Ce partenariat avec Tokai constitue une nouvelle étape déterminante dans la montée en puissance de la technologie SmartSiC pour répondre à la demande en forte croissance de marchés tels que la mobilité électrique et l'électrification industrielle. La très grande qualité des produits SiC de Tokai et celle de ses capacités en matière de R&D conjuguées à la technologie innovante SmartSiC de Soitec vont pouvoir accélérer l'adoption générale de la mobilité électrique tout comme celle d'autres technologies SiC. Il s'agit d'un jalon important en termes de perception et de création de valeur pour l'écosystème SmartSiC."

Hajime Nagasaka, CEO de Tokai Carbon, a ajouté : "Les substrats de carbure de silicium polycristallin que nous allons fournir à Soitec constituent un produit stratégique parmi notre solide gamme de produits SiC. Nous sommes très heureux de voir nos longues années d'efforts en recherche et développement aboutir à un tel résultat et nous avons de fortes ambitions pour ce produit au sein du marché des semi-conducteurs SiC, lui-même attendu en forte croissance. Ce partenariat avec Soitec est également très significatif en termes de contribution à l'avènement d'une société durable."