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SOITEC : SOITEC ANNONCE UNE AVANCÉE MAJEURE AVEC UN SUBSTRAT DÉDIÉ AUX APPAREILS DE DÉTECTION D'IMAGES 3D

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SOITEC : SOITEC ANNONCE UNE AVANCÉE MAJEURE AVEC UN SUBSTRAT DÉDIÉ AUX APPAREILS DE DÉTECTION D'IMAGES 3D
Credits  ShutterStock.com

 

 

SOITEC ANNONCE UNE AVANCÉE MAJEURE AVEC UN SUBSTRAT DÉDIÉ AUX APPAREILS DE DÉTECTION D'IMAGES 3D

 

Les nouveaux substrats Imager-SOI permettent aux capteurs en silicium

d'augmenter la performance du spectre proche infrarouge

 

 

Bernin (Grenoble), France, le 30 novembre 2017 - Soitec, leader de la conception et de la production de matériaux semi-conducteurs innovants pour l'industrie électronique, annonce ce jour sa nouvelle génération de substrats de silicium sur isolant (SOI) : la gamme Imager-SOI conçue spécialement pour la fabrication d'imageurs à face avant destinés aux applications proche infrarouge (NIR), notamment les capteurs 3D complexes. Désormais produites en volume, les nouvelles plaques Imager-SOI de Soitec offrent une grande maturité pour répondre aux besoins des clients sur les marchés en pleine croissance des caméras 3D dédiées à la réalité augmentée (AR) et à la réalité virtuelle (VR), des systèmes de sécurité à reconnaissance faciale, des interfaces homme-machine complexes et autres nouvelles applications.

« Nos tout derniers substrats Imager-SOI constituent une avancée majeure pour Soitec et une  solution ingénieuse pour accroître la performance dans le domaine proche infrarouge, accélérant ainsi l'accès à de nouvelles applications sur les marchés en plein essor de l'imagerie et de la détection 3D » déclare Christophe Maleville, Vice-président exécutif en charge de la Business Unit Digital Electronics de Soitec. «La conception innovante de ces capteurs sur du SOI est obtenue en tirant parti de notre savoir-faire unique en matière de transfert de matériaux en couches ultra-minces et de notre solide expérience industrielle».

Le nouveau substrat Imager-SOI permet d'étendre simplement la portée de fonctionnement des capteurs d'image CMOS haute résolution à base de silicium dans le spectre NIR. Cette version optimisée du substrat SOI améliore le rapport signal sur bruit dans le spectre NIR.

Le marché des appareils d'imagerie et de détection 3D devrait enregistrer un taux de croissance annuel moyen de 37,7 % au cours des cinq prochaines années, et ses ventes devraient atteindre 9 milliards de dollars en 2022, selon Yole Développement. Le cabinet d'étude et de conseil prévoit également pour 2018 un afflux massif de nouveaux produits, notamment les premières applications de l'électronique et de l'informatique mobiles.*

 

* Source: 3D Imaging and Sensing report, Yole Développement, Avril 2017.

 

 

 

A propos de Soitec : Soitec (Euronext, Paris) est un leader mondial de la conception et de la production de matériaux semi-conducteurs innovants. L'entreprise s'appuie sur ses technologies uniques pour servir les marchés de l'électronique. Avec plus de 3000 brevets, elle mène une stratégie d'innovations disruptives pour permettre à ses clients de disposer de produits qui combinent performance, efficacité énergétique et compétitivité. Soitec compte des sites industriels, des centres de R&D et des bureaux commerciaux en Europe, aux Etats-Unis et en Asie. Pour en savoir plus, veuillez consulter le site http://www.soitec.com et suivez-nous sur Twitter : @Soitec_FR.

 

Soitec et Smart Cut sont des marques déposées de Soitec.

 

 

Contact Media (Soitec) :

Camille Dufour

+33 (0)6 79 49 51 43

camille.dufour@soitec.com 

Contact Relations Investisseurs (Soitec) : Steve Babureck

+1 858 519 6230 or +33 (0)6 16 38 56 27 steve.babureck@soitec.com

 

 

                                     

 

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Soitec est une société anonyme de droit français au capital de 62 758 749,70 euros, dont le siège social est situé Parc Technologique des Fontaines - Chemin des Franques - 38190 Bernin (France), et immatriculée au Registre du Commerce et des Sociétés de Grenoble sous le numéro 384 711 909 RCS Grenoble.

 

 

 


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Les annexes de ce communiqué sont disponibles à partir de ce lien :
http://hugin.info/143589/R/2153129/826961.pdf

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