STMicroelectronics lance une technologie de puissance en carbure de silicium de 4e génération
Cette nouvelle génération de Mosfet STPower est conçue pour les onduleurs de traction des futurs véhicules électriques...
STMicroelectronics annonce l'introduction de sa 4e génération de Mosfet STPower en technologie carbure de silicium. Cette technologie de 4e génération apporte de nouvelles références en matière d'efficacité énergétique, de densité de puissance et de robustesse.
Tout en répondant aux besoins des marchés de l'automobile et de l'industrie, cette nouvelle technologie est optimisée pour les onduleurs de traction, le composant clé du groupe motopropulseur des véhicules électriques (VE). Plus petits et plus efficaces, ces produits dont la production en volume augmentera jusqu'en 2025 dans les catégories 750 V et 1 200 V apporteront les avantages du carbure de silicium aux véhicules électriques de taille moyenne et compacts, en plus des modèles haut de gamme.
STMicroelectronics prévoit d'introduire d'autres innovations avancées en technologie SiC jusqu'en 2027, conformément à ses engagements en faveur de l'innovation.
En séance, l'action ST gagne quelque 2% à Paris, à 25,34 euros, malgré un ajustement d'objectif de cours.
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