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Soitec et l'institut de microélectronique de l'Agence A*STAR vont développer la prochaine génération de semis en carbure de silicium

| Boursier | 238 | Aucun vote sur cette news

L'Institut de Microélectronique (IME - Institute of MicroElectronics), une entité de l'Agence pour la science, la technologie et la recherche...

Soitec et l'institut de microélectronique de l'Agence A*STAR vont développer la prochaine génération de semis en carbure de silicium

L'Institut de Microélectronique (IME - Institute of MicroElectronics), une entité de l'Agence pour la science, la technologie et la recherche (A*STAR), et Soitec (Euronext Paris) ont annoncé un partenariat de recherche pour développer la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), destinés à alimenter les véhicules électriques et les appareils électroniques à haute tension avancés. Dans le cadre de cette collaboration, les partenaires s'appuieront sur les technologies brevetées de Soitec telle que Smart Cut et sur la ligne de production pilote de l'IME pour fabriquer des substrats SiC de 200 mm de diamètre.

Le programme de recherche commun contribuera au développement d'un écosystème complet autour du SiC et encouragera la création de capacités de production de semi-conducteurs à Singapour et dans l'ensemble de la région. Cette collaboration en matière de recherche est prévue jusqu'à mi-2024 et vise à atteindre des objectifs suivants :

Développer l'épitaxie du SiC et les procédés de fabrication de transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) pour des substrats SiC Smart CutTM afin de produire des transistors de puces électroniques de plus grande qualité avec moins d'imperfections et un rendement amélioré pendant la phase de fabrication

Etablir un standard de référence pour les transistors MOFSET de puissance en carbure de silicium fabriqués sur des substrats SiC Smart Cut et démontrer les avantages de ce procédé par rapport aux substrats conventionnels

"Ce programme de recherche commun entre l'IME d'A*STAR et Soitec a pour vocation de développer la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs en utilisant des technologies innovantes. Il est rendu possible grâce à l'étendue des capacités de 'R&D' des deux organismes" a déclaré Terence Gan, Directeur Exécutif de l'IME. "Nous nous réjouissons de collaborer avec Soitec pour apporter de la valeur à l'écosystème local de R&D ainsi qu'au nombre croissant d'acteurs spécialisés dans le carbure de silicium au sein de l'industrie des semi-conducteurs", a-t-il ajouté.

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