Soitec : accord de développement conjoint autour du SmartSiC avec le Japonais Resonac

Resonac Corporation (anciennement Showa Denko K.K.) et Soitec ont signé un accord pour développer des plaques de carbure de silicium (SiC) SmartSiC de 200 mm en utilisant les substrats et les procédés d'épitaxie de Resonac. Il s'agit d'une étape majeure pour le déploiement de la technologie de carbure de silicium à haut rendement de Soitec au Japon et sur d'autres marchés internationaux. Aucun détail financier n'a filtré.

Le carbure de silicium SmartSiC est un matériau semi-conducteur composé disruptif, offrant des performances et une efficacité supérieures à celles du silicium dans les dispositifs d'électronique de puissance à forte croissance pour la mobilité électrique et les processus industriels. Il permet une conversion d'énergie plus efficace, des conceptions plus légères et plus compactes et une réduction globale des coûts des systèmes - autant de facteurs clés de succès pour des applications industrielles et les véhicules électriques.

Les plaques de carbure de silicium SmartSiC de Soitec, ou substrats avancés, sont produites à l'aide de la technologie SmartCut brevetée par la Société, qui permet de lier une couche ultrafine de plaque " donneuse " mono-SiC de haute qualité à une plaque polycristalline (poly-SiC) à faible résistivité. Le substrat modifié qui en résulte améliore considérablement les performances des dispositifs et les rendements de production. En permettant de multiples réutilisations de la plaquette mono-SiC de première qualité, le processus offre une réduction de la consommation d'énergie globale lors de la fabrication des plaques.

Soitec dispose d'une nouvelle usine de fabrication à son siège de Bernin, en France, principalement dédiée à la production de plaques SmartSiC pour les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les applications de composants d'équipements industriels.