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STMICROELECTRONICS signe un accord portant sur la technologie LDMOS d'Innogration

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STMICROELECTRONICS signe un accord portant sur la technologie LDMOS d'Innogration
Credits  ShutterStock.com


STMicroelectronics a annoncé la signature d'un accord portant sur la technologie de puissance RF LDMOS d'Innogration Technologies, société de microélectronique sans usine (fabless) dont le siège social est situé à Suzhou (Chine), spécialisée dans la conception et la fabrication de composants, modules et sous-ensembles de puissance RF. "L'accord avec Innogration élargit la gamme d'applications que ST peut adresser avec la technologie LDMOS", a expliqué le fabricant de semi-conducteurs qui n'a pas divulgué les modalités de cet accord.

Associant un canal de conduction de longueur réduite à une tension de claquage élevée, les composants LDMOS répondent aux exigences d'applications telles que les amplificateurs de puissance RF où ils peuvent être utilisés dans les stations de base pour systèmes de communications sans fil, ainsi que dans les amplificateurs de puissance intégrés à des systèmes industriels et commerciaux.

source : AOF

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