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STMicroelectronics et TSMC collaborent sur des produits à base de nitrure de gallium

| Boursier | 408 | 5 par 1 internautes

Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semiconducteur à large bande...

STMicroelectronics et TSMC collaborent sur des produits à base de nitrure de gallium
Credits Denis Balibouse / Reuters

STMicroelectronics et TSMC, le plus grand fondeur de semi-conducteurs au monde, collaborent en vue d'accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché. Dans le cadre de cette collaboration, les produits innovants et stratégiques conçus par ST en nitrure de gallium seront fabriqués en utilisant le procédé technologique avancé en GaN de TSMC.

Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semiconducteur à large bande (WBG — Wide Band Gap) qui apporte aux applications de puissance des avantages considérables par rapport aux semiconducteurs traditionnels à base de silicium. Parmi ces avantages figure notamment une efficacité énergétique supérieure à des niveaux de puissance plus élevés, avec à la clé, une réduction substantielle des pertes d'énergie parasites.

Spécifiquement, les produits réalisés dans les technologies GaN et GaN de puissance permettront à ST de fournir des solutions pour applications de puissance moyenne et élevée qui afficheront un rendement énergétique supérieur aux technologies en silicium basées sur les mêmes topologies, parmi lesquelles les convertisseurs pour l'automobile et les chargeurs pour véhicules électriques et hybrides. Les technologies de puissance et circuits intégrés en GaN contribueront à accélérer la tendance majeure que constitue l'électrification des véhicules particuliers et commerciaux.

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