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STMicroelectronics acquiert une participation majoritaire dans Norstel

| Boursier | 157 | Aucun vote sur cette news

ST a une option d'acquisition des 45% restant...

STMicroelectronics acquiert une participation majoritaire dans Norstel
Credits Reuters

STMicroelectronics a signé un accord portant sur l'acquisition d'une participation majoritaire dans le capital de Norstel AB (Norstel), fabricant suédois de plaquettes en carbure de silicium (SiC). Après la clôture, ST contrôlera l'intégralité de la chaîne d'approvisionnement pour une partie de ses produits en SiC à un moment où la capacité globale est limitée, ce qui positionne la Société en vue de perspectives de croissance significatives.

ST va acquérir 55% du capital social de Norstel, avec une option d'acquisition des 45% restant soumis à certaines conditions, qui, si elle est exercée, se traduira par un prix total de 137,5 millions de dollars financés sur de la trésorerie disponible.

"ST est aujourd'hui la seule société de semiconducteurs qui produit en volume des circuits en carbure de silicium pour l'industrie automobile. Nous souhaitons capitaliser sur notre solide dynamique dans le domaine du carbure de silicium, tant en termes de volume que de diversité des applications pour les secteurs industriels et automobiles, en vue d'asseoir notre position de leader sur un marché estimé à plus de 3 milliards de dollars en 2025", indique Jean-Marc Chéry, Président du Directoire et Directeur Général de STMicroelectronics. "L'acquisition d'une participation majoritaire dans le capital de Norstel marque une nouvelle étape visant à renforcer notre écosystème SiC : cela permettra d'accroître notre flexibilité, d'améliorer notre productivité industrielle et la qualité de nos produits, ainsi que de soutenir notre feuille de route et notre activité à long terme pour le marché du carbure de silicium".

La société Norstel, dont le siège social se trouve à Norrkoping (Suède), a été fondée en 2005 en tant que spinoff de l'université de Linköping. Norstel développe et fabrique des plaquettes en carbure de silicium (SiC) avec et sans épitaxie en technologie avancée de 150 mm.

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